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北京光機電一體化産業基地

2021年02月02日 18:08:52  來源:北京與臺灣
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園區概況

  北京市光機電一體化産業基地,英文全稱Beijing OPTO-Mechatronics Industrial Park(OIP)是2001年7月23日,經北京市政府批准正式成立的。重點發展微電子、光電子、數控機床、印刷機械、智慧儀器儀錶、醫療設備、電子專用設備、鐳射技術、機器人等主導産業,基地將重點形成以高新技術經濟增長點為主,傳統産業改造提升為輔,多個領域支撐的格局。此外,基地還將與北京經濟技術開發區左右連接,與中關村科技園區前後響應。使研發環節和生産環節有機協調,形成北京市高新技術産業發展的合理佈局。

投資環境

   基地位於北京市東南,地處五環路和六環路之間,東鄰京沈高速路,南鄰北京經濟技術開發區二期規劃居住區,西鄰京津塘高速路。基地規劃總面積7平方公里,首期開發2平方公里。驅車10分鐘可達三環路上的分鐘寺立交橋,經四環路30分鐘可到首都國際機場,沿高速路70分鐘可達天津新港,驅車10分鐘可達鐵路貨運站。海運、空運、路運都十分便捷。

  目前,基地的基礎設施和配套服務設施建設情況如下:

  1、道路:基地內目前已經建成的道路包括98米寬的主幹路1.1公里,30米寬次幹路10余公里,初步形成基地的交通網路。目前,寬120米的基地中心大街將全面開工建設。

  2、供電:基地內建有11萬伏變電站一座,供電容量8萬KVA,可滿足企業需要,可提供全天24小時雙回路供應。

  3、供熱:基地採用集中供熱的方式為入住的企業提供統一的供熱服務,一期供熱能力75噸/小時。

  4、供水:基地一期已經建成日供水能力3000噸的集中供水系統,為入住企業提供生産、生活用水。

  5、雨污排水:基地內鋪設了高標準的雨污分流排水管網,污水統一排入基地南部的污水處理廠,雨水直接排入東側通惠排幹渠。

  6、天然氣:基地已經開始使用天然氣。氣源來自華北油田和陜甘寧地區,供應北京地區的天然氣門站就建在基地內。

  7、通訊:基地內規劃程式控制電話容量10萬門,現已建成1.5萬門。

  8、網路:基地可以為入駐企業提供全方位的寬頻網路通訊服務,保證企業與國內外資訊的暢通。

  9、有線電視:基地內已開通擁有44套節目的有線電視系統。

  綜上所述,基地一期開發的2平方公里土地平整,地塊完整,已經達到"九通一平"的標準。

  除此以外,基地已具有功能齊全的配套服務設施:1萬平方米的服務中心,3萬平方米的三星級賓館現已建成,高標準的生活服務區也已經建成。建築面積20萬平方米的居住用房,已投入使用;高標準的銀行、郵局、飯店、醫院、學校、幼兒園、敬老院也已經投入使用。高品質配套服務體系,將為每一位投資者提供一個良好的生産和生活環境。

優惠政策

   北京市光機電一體化産業基地享受北京市經濟技術開發區的同等優惠政策。同時為了鼓勵和吸引更多符合光機電一體化産業基地産業定位的高新技術企業入駐基地,經市區政府共同研究決定,對於入住基地的企業將在土地、稅收、建設貼息以及政府跟進投資等方面給予最大的優惠。同時,為了給入駐企業提供高效、便捷的服務,基地將建立一個由計委、建委、工商、稅務等有關部門人員組成的綜合辦公室,為企業提供全方位的服務。

  1、經管委會認定,符合光機電一體化産業中重點扶持的高新技術企業,視企業註冊資本金跟進投資,不行使表決權,不參與分紅。

  2、經管委會認定,符合光機電一體化産業中重點扶持的高新技術企業,建設期間所發生的貸款,政府給予貸款貼息補貼。按照建設期間實際發生的貸款補貼貸款利率1.5個百分點至項目正式達産,貼息時間最多不超過三年。

  3、直接以出讓方式取得土地並用於高新技術成果轉化項目的高新技術企業,免收土地使用權出讓金,城市基礎設施“四源費”,減半徵收市政公用設施建設費。

  4、高新技術企業用於經認定的重大高新技術成果轉化項目的新增用地,免征土地使用權出讓金及該項目的城市基礎設施“四源費”,減半徵收市政公用設施建設費。

  5、經認定的高新技術成果轉化項目,自認定之日起三年內,所繳納營業稅、企業所得稅、增值稅的地方收入部分,由財政安排專項資金支援,之後兩年減半支援,之後兩年減半支援,經認定的重大高新技術成果轉化項目,自認定之日起五年內上繳的營業稅、企業所得稅、增值稅地方收入部分,由財政安排專項資金支援,之後三年減半支援。

  6、基地內高新技術企業當年發生的技術開發費比上年實際增長10%(含10%)以上的,當年經主管稅務機關批准,可再按技術開發費實際發生額的50%抵扣當年應納稅所得額。

  北京市光機電一體化産業基地是按照北京市關於高新技術企業和工業佈局規劃的要求建立的,將重點發展微電子、數控機床、印刷機械、智慧儀器儀錶、醫療設備、電子專用設備、鐳射技術、機器人等主導産業。目前,中科院半導體研究所佔地40畝,投資1.5億元生産6英寸砷化鎵的中科鎵英項目;北京民族印刷廠佔地72畝,投資1.2億元的項目都已經入駐基地。

[責任編輯:陳寧]

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